• ICDIA 2021议程重磅发布:首届中国集成电路设计创新大会暨IC应用
    发布日期:2021-12-05 12:49   来源:未知   阅读:

  创新联盟(大联盟)指导,中国集成电路设计创新联盟(设计联盟)、中国半导体行业协会集成电路设计分会、国家“芯火”双创基地(平台)、苏州市高新区共同主办的“2021 中国集成电路设计创新大会暨IC 应用博览会”(简称ICDIA )即将于7月15日-16日在苏州召开。

  大会为期两天,第一天上午高峰论坛,下午创新峰会;第二天为4个并行主题论坛。同期举办为期两天的“IC应用展”。

  高峰论坛邀请到10多位行业享有盛名的大咖和企业家围绕“创新”主题,分享创新思路与技术成果,针对新格局中国集成电路产业创新、关键技术突破与本土化机遇、核心器件供应链安全、整机需求与自主可控等话题发表真知灼见,共同探寻新形势下我国集成电路技术创新与突破之道。魏少军、叶甜春、严晓浪、杜晓黎、吴汉明、时龙兴、曹立强、周玉梅、戴伟民、刘伟平、楚庆、陈向东等国家部委领导、国家01、02重大专项有关专家、企业家代表将出席高峰论坛并作创新主题演讲。

  大会还组织了70多家创新企业,围绕IC设计、汽车电子、AI5G互联、射频技术等领域展开研讨,分享各自的创新技术与市场策略。来自全国集成电路领域、家电领域、人工智能领域、汽车与零部件领域、互联网领域,产业界、投资界、新闻媒体等1000多位代表将出席大会。

  ICDIA 将在以往设计联盟创新论坛的基础上,融合创新发布、供需对接、应用展览等内容,为推动我国乃至世界集成电路合作、创新、应用搭建平台。为期两天的IC应用展将为行业展示最新的IC设计技术与芯片创新产品应用,全国各主要IC创新企业、国家“芯火”双创基地(平台)将集中展示平台服务与创新成果。

  目前最新的议程已经公布,长按扫描下方二维码即可查看完整会议议程并在线报名。

  大会第一天高峰论坛立足于向业界传递国家科技创新思想,展示专项创新成果和提升企业创新能力。中国集成电路设计创新联盟理事长、清华大学教授魏少军将为大会发表主题致辞,国家02专项总师、中国集成电路创新联盟副理事长兼秘书长叶甜春,国家01专项技术副总师、联想研究院副院长杜晓黎,中国集成电路设计创新联盟专家组组长时龙兴,中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明,中国集成电路封测创新联盟副理事长兼常务秘书长、中科院微电子所副所长曹立强,中国集成电路创新联盟技术创新推进组组长周玉梅等多位行业享有盛名的专家大咖将分别围绕中国集成电路设计产业创新发展、中国集成电路产业创新发展路径思考、核心技术的自主创新是集成电路产业高质量发展的关键、关于集成电路产业在后摩尔时代的思考、如何让自研芯片成为我国系统整机产品的创新驱动力等“创新”主题做报告。

  芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民,华大九天董事长刘伟平,紫光展锐CEO楚庆,士兰微电子董事长陈向东,中国家用电器研究院总工程师徐鸿,沐曦集成电路CEO陈维良,芯耀辉CTO李孟璋,芯动科技副总裁兼CTO何颖,地平线联合创始人兼CTO黄畅,芯来科技执行总裁彭剑英、杭州行芯科技CEO贺青、胜科纳米(苏州)有限公司CEO李晓旻等多位创新企业家将分别围绕芯粒(Chiplet)的机遇与挑战、自主EDA发展、生态承载者的责任、多种产业形态的半导体芯片发展模式、高性能GPU国产化的挑战与创新突破、IP创新赋能产业数字化、汽车智能芯片助力共建开放产业生态、智能家电集成电路应用展望等题目做主题报告。

  为解决汽车芯片“卡脖子”的问题,推动汽车电子国产化,以应对当前广大车厂缺“芯”难的问题,7月15日下午,中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、中国汽车工业协会制动器委员会、中国汽车工程学会汽车现代化管理分会、上海市汽车工程学会大会将组织召开“2021汽车芯片供需对接会”,会议将定点邀请汽车零部件与芯片企业结合供、需双方需求,基于《汽车电子芯片创新产品目录》,重点推选部分已通过车规检测的芯片产品,为整车和零部件企业缺“芯”、寻“芯”搭建平台。

  IC设计创新论坛以“助力中国芯,构建新生态”为主题,围绕IC设计技术突破和应用创新,结合当下新兴市场与产业热点,来自圣邦微电子、芯动科技、芯耀辉、芯来科技、华桑电子、杭州行芯科技、中科芯云、芯华章、国微思尔芯、Imagination、志翔科技、安谋中国、达索系统、新思科技、紫光云、厦门优讯、敏芯微电子、英诺达、EDA创新中心等企业的代表将围绕高速接口IP、高性能计算芯片、DDR IP技术、私有云、EDA、芯片智能验证、智慧城市、RTL Architect、光通信电芯片、MEMS自主可控、超高速数据转换器芯片等议题进行创新技术推优发布,介绍领先的芯片与系统解决方案,推动国产替代与供需对接。

  “第八届汽车电子创新论坛”以“汽车核心器件供应链安全”为主题,也将作为分论坛之一在7月16日举行。届时,来自国家新能源汽车技术创新中心、中国电子技术标准化研究院、琪埔维、地平线、日月光、ADI、锐成芯微、芯旺微电子、达索系统、奇瑞、联合汽车电子、芯海科技、广电计量、proteanTecs、云途半导体、芯华章、国芯科技、黑芝麻、上海海思、英博超算等主机厂、零部件企业、芯片企业将针对供需双方需求,围绕中国汽车芯片产业的机遇挑战和应对策略、国产车规芯片准入标准与途径思考、车用电子封装趋势与解决方案、新能源汽车、车用传感器信号调理芯片的配置和校准、国产汽车电子关键技术突破与应用、自主知识产权国产智能驾驶量产解决方案等汽车产业卡脖子的问题,针对汽车电子的现状、未来发展与创新、技术痛点与难点相互交流。

  作为本次汽车电子创新论坛的亮点之一,《汽车电子芯片创新产品目录》也将在会上进行重磅发布和解读。去年 5 月,中国集成电路设计创新联盟就联合中国汽车工业协会制动器委员会、上海市汽车工程学会开展了“汽车电子产业调研”并编制了《汽车电子芯片创新产品目录》电子版,得到了汽车工业协会及车企的广泛认可。今年,在科技部、工信部的支持指导下,组委会进一步深化和完善《汽车电子芯片创新产品目录》内容,扩大企业和产品信息量,并在“第八届汽车电子创新论坛”上正式出版发布,截至目前,已收集到75家本土IC企业的316款汽车电子芯片创新产品。

  “汽车电子创新论坛”将为推动提升芯片全产业链的供给能力,积极搭建产用对接合作平台,鼓励供需双方创造良好应用环境,加强产业链上下游协同创新,双向发力保障芯片产品供给,满足市场的需求发挥重要作用。

  随着 5G 通信、自动驾驶以及物联网技术的广泛应用,第三代人工智能将成为新一代通用技术,渗透融合到社会经济的各个领域。而作为实现人工智能技术创新的重要载体,AI 芯片正在成为全球各大半导体企业积极布局,抢占下一个市场先机的重点。据市场研究机构预测,未来 10 年将全面进入人工智能时代,到 2023 年,全球 AI 芯片市场规模将达到 108 亿美元,2025 年将达 369 亿美元。而在半导体产业快速发展的中国,AI 芯片也将承载着中国芯产业弯道超车的期望。

  为更好地促进 AI 芯片创新发展,加快推动人工智能技术创新及应用落地,创办于2018年的“第四届 AI 芯片创新论坛”也将作为ICDIA的组成部分在会议第二天同期举行。论坛以“芯创未来,万物智能”为主题,来自亚马逊、千芯科技、沐曦集成电路、世芯电子、芯华章、爱芯科技、芯动科技、Cadence、安霸、新思科技、芯天下、是德科技、核芯达、中兴通讯、华夏芯等企业的精英将深入探讨 AI 芯片开发与智能硬件技术创新,以及人工智能赋予集成电路产业的机遇和挑战。

  射频与微波技术在军工和民用领域都有广泛的应用,随着射频器件的复杂度逐渐提升,射频半导体行业取得了众多颠覆性的突破与进步,氮化镓技术、阵列天线、太赫兹技术取得了众多实质性进展,产品在设计、工艺、材料等方面都将发生巨大的革新。同时,射频前端仍面临许多诸如功耗、尺寸、天线数量、芯片设计、温漂、信号干扰、不同类型信号和谐共存等技术端的难题。如何解决这些问题,成为当下业界关注的焦点,也是射频器件的创新所在。

  射频设计与测试论坛主要针对通信、物联网、航空航天、汽车电子等相关市场,提供最新RF/微波和高频产品设计和测试测量解决方案。针对疫情下射频前端与网络连接性市场发展现状、REIC电磁场仿真技术、毫米波、最新的NFC控制器技术与NFC无线充电方案、多端口射频前端与变频器件的测试方案等议题,来自Aspencore、芯和半导体、罗德与施瓦茨、Ansys、Qorvo、Panthronics的专家将提供他们独到的思考和见解。

  中国是全球最大的集成电路消费大国和进口大国,同时也是全球最大的电子制造大国。国产芯片的发展离不开下游整机应用的带动牵引。“中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会”在当前世界经济大变局、疫情后全球产业链重塑的大背景下在苏州召开,将更好地集聚苏州集成电路产业资源,建设区域品牌知名度,对推动我国乃至世界集成电路合作、创新、应用将产生积极影响。

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  02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...

  595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul

  带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...

  373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0]

  输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...

  175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和播放时间 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...

振威会展集团,国际著名会展企业!振威会展是中国最具规模和影响力的展览会组织机构之一,总部位于广州,始创于1996年。中国十大最佳展览公司之一。中国会展经济研究会副会长单位。UFI国际展览业协会的成员。